政府主導＋民間投資混合で日本が短中期（2025–2030年）に半導体サプライチェーンの回復・強靭化を狙うための実務的プラン案を考えてみましょう。総額は既報に沿って「～10兆円程度（2030年まで）」を想定し、目的別に配分・年次スケジュールを示してみました。
要旨（Executive summary）
●目標：2030年までに、先端ロジック（3–7nm級）を含む戦略的生産能力、材料・装置の国内連携、基礎研究と人材供給を確立して、サプライチェーンの信頼性・回復力（resilience）を高める。
●財源目安：政府支援＋民間投資で合計約10兆円（〜2030）を目標。既存の補助金・支援枠（Rapidus支援、TSMCへの補助等）はこの総額に含める想定。
●重点分野（7本柱）：
- ファウンドリ（先端・成熟両面）の拡充
- 装置・材料（国内サプライヤー強化）
- パッケージ・テスト・先進封止（advanced packaging）
- 人材育成・研究基盤（基礎→応用）
- 中小サプライヤー支援とDX化
- 輸出管理・サプライチェーン安全保障（ガバナンス）
- 国際連携（盟邦・友好国との協調）
参考枠組み（事実ベース）
●日本政府は2030年までに約10兆円規模の支援を検討・表明している報道がある（計画案の規模）。
●例：TSMC日本拡張に対して東京は約7320億円（約732億円? ＝報道で732 billion yen）の支援枠を表明している（政府補助は既に供与事例あり）。
●METI（経産省）は半導体復興戦略や先進パッケージ等のR&D補助を公表しており、既に数百億〜数千億円規模の事業が動いている。
再構築プラン（柱別・金額配分モデル：合計10兆円想定）
（単位：兆円、総額＝約10.0 ＝政府支援・税制優遇・民間投資を合算）
- ファウンドリ（先端＋成熟） — 4.0兆円
- 目的：先端（3nm→2nmレンジ）と成熟（28nm〜）の生産拠点確保、TSMC等の海外ファウンドリ誘致と国産ファウンドリ（Rapidus等）支援。
- 使途例：大規模投資助成（設備導入補助）3.0兆円、インフラ（電力・水・廃熱処理）0.5兆円、地域補助・港湾整備0.5兆円。
- 年次（概念）：
- 2025：プロジェクト認定・環境整備（補助制度・土地確保）→ 0.5兆円
- 2026–2028：建設・設備導入フェーズ → 2.0兆円
- 2029–2030：立上げ・量産支援・トレーニング → 1.5兆円
- 補足：既にTSMCの熊本投資やJASM計画が動いている。政府支援はこれらを早期稼働・第2フェーズ誘致に活用。
- 装置・材料（供給網強化） — 2.0兆円
- 目的：フォトレジスト、シリコンウエハ、CMPスラリー、ガス・高純度化学薬品、成膜材料等で国内サプライヤーの増強・設備更新。
- 使途例：R\&D補助（材料技術）3000億円、設備更新・増産支援7000億円。
- 年次：2025開始〜2028集中投資（国内生産能力の3年ブースト）。
- 根拠：SUMCO、Shin-Etsu、JSR等は重要素材で世界シェアを持つため、競争的優位を拡大する投資が妥当。
- 先進パッケージ＆テスト拠点 — 0.8兆円
- 目的：ファウンドリで作ったウェハーを高付加価値商品にするため、3Dパッケージ、Heterogeneous integration、SiP等の国内能力を確立。
- 使途：先端パッケージ用装置導入、量産ライン、共同研究拠点。
- 年次：2025–2027で集中投資。METIで既に採択案件あり。
- 研究・人材育成（基礎→応用） — 0.6兆円
- 目的：半導体材料・デバイス・プロセス研究と、技能工・プロセスエンジニア・設計人材の育成。大学・産学連携、リスキリング（女性・高齢者の活用含む）。
- 使途：大学連携研究助成3000億円、職業訓練・技工校支援2000億円、国際人材交流1000億円。
- 年次：継続的投資（2025–2030）。
- 中小サプライヤー支援 & DX化 — 0.4兆円
- 目的：設備の信頼性向上、部品供給網のロジスティクス強化、検査・品質管理の標準化。中小が倒れない仕組み作り。
- 使途：設備リース補助、品質保証共同センター設立、共同購買プラットフォーム。
- ●年次：2025–2028集中支援。
- サプライチェーン安全保障・ガバナンス — 0.6兆円
- 目的：輸出管理（該非判定）、サイバーセキュリティ、サプライチェーン監視、在庫管理、リスク評価体制の構築。
- 使途：経産省・外務省の人員増、デジタル監視プラットフォーム、企業向けガイダンス、法整備支援。
- ●年次：2025〜2026で制度構築、以後運用。
- 国際連携・外交支援（パートナー誘致） — 0.6兆円
- 目的：TSMC、Samsung、Intel等の誘致支援、FTAを通じた安全なサプライネット、共同研究ファンド。
- 使途：投資誘致補助、共同プログラムファンド、地域協力事業。既にTSMC支援で実績あり。
- 予備・リスクバッファ（不測費） — 0.0–1.0兆円
- 事業遅延・地政学リスク・価格変動対応に備え、最大で1兆円を確保（プロジェクト進捗に応じて配分）。
年次計画（ハイレベル、2025–2030）
●2025（準備・制度化）：法制度・補助枠設計、プロジェクト認定、土地・電力手配、大学連携開始。政府支出見込：0.8–1.2兆円。
●2026（建設開始）：ファウンドリ建設・装置発注、材料シフト開始、中小支援開始。支出：1.5–2.0兆円。
●2027（設備導入・立上げ）：主要ラインの生産設備導入、先進パッケージ拠点稼働準備、人材本格採用。支出：2.0–2.5兆円。
●2028（量産初期・安定化）：成熟ノード量産開始、材料・装置の国内供給拡充。支出：2.0–2.5兆円。
●2029（スケールアップ）：生産能力拡大、輸出入ルールの運用成熟。支出：1.0–1.5兆円。
●2030（到達点）：先端ノード（共同設計や限定生産）＋成熟市場での自立的供給確保。残額調整。
合計で政府支援＋民間投資の合算で10兆円レンジを目標（段階的給付・成果ベースの補助が望ましい）。
実施上の「現実的設計」（運用面）
- 競争入札＋成果連動補助：補助は成果（稼働度、生産性、雇用創出、国内調達率）にリンク。
- 地域分散だけでなく集中の両立：電力・水などインフラの面で「クラスター」をつくり、効率と回復力を両立。
- 中小企業の“入札保護”スキーム：主要装置メーカーが大規模発注する際のサプライチェーン優先枠。
- 知財・技術移転ルール：外資誘致は条件付（ジョイント開発、国内人材育成、部分的技術共有）。
- 環境規制の整合：高用水・排熱問題の解決（再生可能エネルギーや廃熱利用の補助）を同時実施。
KPI（主要評価指標）
●2030年までに国内での半導体ウエハ換算生産量（12インチ等）の×倍化（目標値は政策決定にて確定）。
●先端ノードの国内稼働ライン数（例：3–7nmでの共同生産ライン数）
●国内外調達比率（重要材料の国内比率を30–50%へ向上）
●半導体関連就業者数の増加（5年で＋数万人規模）
●サプライチェーン断絶時のリカバリ目標（72時間〜7日間で重要ラインの一定復旧）
リスクと対策
●リスク：人材不足 → 対策：迅速な技能訓練、移民・外国人高度人材の受け入れ拡大（短期ビザの簡素化・定住支援）。
●リスク：設備納期遅延（ASML 等の制約） → 対策：代替技術投資、装置共有センター、装置供給先の多様化。
●リスク：地政学的変化による資金・部品断絶 → 対策：友好国との共同備蓄、相互供給協定、在庫ポリシー。
●リスク：プロジェクトの過剰投資／需要ミスマッチ → 対策：段階払いの補助、マーケットベースの検証（事前需要確約）。
政策事務設計（ガバナンス）
●中央司令塔（仮）：「半導体戦略庁（タスクフォース）」を設置（内閣直轄）し、各省（経産、文科、国交、環境、防衛、外務）と連携、投資審査・補助執行を一本化。
●公民連携（PPP）スキーム：民間コンソーシアム（ファウンドリ、材料、装置、設計）が提案→政府は資金・外交支援を付与。
●透明性と評価：年次レビューと第三者評価（独立シンクタンク）を義務化。
なぜ今か（戦略的理由）
●世界的な「友岸化」（friend-shoring）・供給網再編の潮流で、日本は材料・装置で既に強みを持つ（Sumco, Shin-Etsu, Tokyo Electron 等）。これを「下支え資産」として、上流（先端ファウンドリ）と下流（パッケージ）を結び付ける好機である。
次のアクション（すぐやるべきこと）
- 内閣レベルでの財政枠（2030までの概算10兆円）承認とタスクフォース設置。
- 早期に「プロジェクト認定制度」を制定し、1–2年以内に主要案件（TSMC第2フェーズ、Rapidus進捗支援等）へ資金配分。
- 中小企業向けのワンストップ窓口・該非判定支援の即時立ち上げ。
- 大学・若手研究者向けに「半導体人材奨学金・研究助成」を設置。